Відеокамера

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Відеокамера
Зображення
CMNS: Відеокамера у Вікісховищі
Камери спостереження

Відеокамера — електронний кінознімальний апарат, пристрій для отримання оптичних образів об'єктів за допомогою зйомки на світлочутливому елементі, пристосований для запису або передавання зображення у русі.

Історія[ред. | ред. код]

Найперші відеокамери було створено шотландським інженером Джоном Логі Бердом, вони працювали на електромеханічному диску Ніпкова і були використанні BBC в експериментальних передачах 1930 року.

Цілком-електронні розробки засновано на електронно-променевій трубці, як наприклад Іконоскоп Володимира Зворикіна та дисектор Філа Фарнсуорта, витіснили систему Джона Берда 1940 року і залишалися у широкому використанні до 1980 року, коли почали робити відеокамери засновані на КМОН технології.

Найперші відеокамери базувалися на механічному й використовувалися в експериментальних трансляціях у 1910–1930-х роках. Повністю електронні конструкції на основі трубки відеокамери, такі як іконоскоп Володимира Зворикіна та диссектор зображень Філо Фарнсворта, витіснили систему Ніпкова до 1930-х років. Вони широко використовувалися до 1980-х років, коли камери на основі твердотільних датчиків зображення, таких як пристрій із зарядовим зв’язком (ПЗЗ), а пізніше CMOS-сенсор з активним пікселем (CMOS-датчик), усунули типові проблеми з ламповими технологіями, такі як записування зображення, а також зробили робочий процес цифрового відео практичним, оскільки вихід датчика є цифровим, тому йому не потрібно конвертувати з аналогового.

Основою для твердотільних датчиків зображення є технологія метал-оксид-напівпровідник (MOS)[1], яка походить від винаходу MOSFET (MOS-польового транзистора) у Bell Labs у 1959 році.[2] Це призвело до розробки напівпровідникових датчиків зображення, включаючи ПЗС, а пізніше КМОП-датчик з активним пікселем.[1] Першим напівпровідниковим датчиком зображення був пристрій із зарядовим зв’язком, винайдений у Bell Labs у 1969 році [3] на основі технології MOS-конденсаторів [1]. Датчик NMOS з активним пікселем пізніше був винайдений на Olympus у 1985 році [4][5][6], що призвело до розробки датчика з активним пікселем CMOS у Лабораторії реактивного руху NASA у 1993 році[7][5].

Різновиди відеокамер[ред. | ред. код]

Сучасні відеокамери мають величезну кількість дизайнів та призначень, не всі з яких повністю відповідають раннім телевізійним камерам.

Див. також[ред. | ред. код]

Примітки[ред. | ред. код]

  1. а б в Williams, J. B. (2017). The Electronics Revolution: Inventing the Future. Springer. с. 245—8. ISBN 978-3-319-49088-5.
  2. 1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated. The Silicon Engine. Computer History Museum. Процитовано 31 серпня 2019.
  3. James R. Janesick (2001). Scientific charge-coupled devices. SPIE Press. с. 3—4. ISBN 978-0-8194-3698-6.
  4. Matsumoto, Kazuya та ін. (1985). A new MOS phototransistor operating in a non-destructive readout mode. Japanese Journal of Applied Physics. 24 (5A): L323. Bibcode:1985JaJAP..24L.323M. doi:10.1143/JJAP.24.L323. S2CID 108450116.
  5. а б Fossum, Eric R. (12 July 1993). Blouke, Morley M. (ред.). Active pixel sensors: are CCDs dinosaurs?. SPIE Proceedings Vol. 1900: Charge-Coupled Devices and Solid State Optical Sensors III. Charge-Coupled Devices and Solid State Optical Sensors III. International Society for Optics and Photonics. 1900: 2—14. Bibcode:1993SPIE.1900....2F. CiteSeerX 10.1.1.408.6558. doi:10.1117/12.148585. S2CID 10556755.
  6. Fossum, Eric R. (2007). Active Pixel Sensors (PDF). Semantic Scholar. S2CID 18831792. Архів оригіналу (PDF) за 9 March 2019. Процитовано 8 October 2019.
  7. Fossum, Eric R.; Hondongwa, D. B. (2014). A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2 (3): 33—43. doi:10.1109/JEDS.2014.2306412.